日(ri)本(ben)愛泰克ETAC絕(jue)緣(yuan)劣化(hua)特(te)性評(ping)價(jia)系統(tong)

                             日(ri)本(ben)愛泰克ETAC絕(jue)緣(yuan)劣化(hua)

背景

絕(jue)緣(yuan)特(te)性與(yu)產品的(de)安全(quan)及部(bu)件壽(shou)命(ming)直(zhi)接相(xiang)關(guan)，是可靠性(xing)評價(jia)的(de)

重要指(zhi)標(biao)。

1. 系統(tong)功能(neng)

在(zai)設定的(de)溫(wen)濕度(du)環(huan)境中(zhong)，在通電的(de)狀態下，對(dui)材(cai)料或部(bu)件的(de)

絕(jue)緣(yuan)電阻值進(jin)行連(lian)續(xu)測(ce)試(shi)的(de)系統(tong)。

即(ji)，樣品邊做溫(wen)濕度(du)試(shi)驗，邊測(ce)試(shi)其絕(jue)緣(yuan)電阻值。

1. 系統(tong)構(gou)成

1）構(gou)成部(bu)分

控(kong)制(zhi)顯示單(dan)元（主(zhu)機(ji)、不(bu)停(ting)電(dian)電(dian)源(yuan)）、測(ce)試(shi)連接線、系統(tong)軟件、操作說(shuo)明書(shu)。如圖1。

2）構(gou)成示意（如圖2）

1. 系統(tong)技(ji)術(shu)參(can)數(shu)

請見附(fu)件。

1. 系統(tong)使用(yong)

與(yu)恒溫(wen)恒濕試驗箱(xiang)壹(yi)起構(gou)成測(ce)試(shi)系統(tong)。如下圖3，圖4

1. 測(ce)試(shi)實例

1) 印(yin)制(zhi)線路(lu)板的(de)離子(zi)遷移測(ce)試(shi)

2) 二次封(feng)止材(cai)的(de)填充不(bu)良造成的(de)離子(zi)遷移測(ce)試(shi)

3）來(lai)自表面(mian)塗層劑被(bei)膜(mo)的(de)針孔(kong)的(de)離子(zi)遷移測(ce)試(shi)

1. 與(yu)傳統方(fang)法(fa)比(bi)較

1）兆歐(ou)表(biao)或高電阻測(ce)試(shi)方(fang)法(fa)：離(li)線（常溫(wen)）測(ce)試(shi)結果的(de)不(bu)可信性(xing)；不(bu)連續(xu)性；不(bu)準確性。

2）絕(jue)緣(yuan)劣化(hua)評價(jia)系統(tong)測(ce)試(shi)方(fang)法(fa)：在(zai)線（設(she)定(ding)環境）測(ce)試(shi)結果的(de)可信性(xing)；連續(xu)性；準確性。

1. 系統(tong)的(de)特(te)點(dian)

1）具有三種(zhong)用(yong)途：離子(zi)遷移、絕(jue)緣(yuan)電阻、絕(jue)緣(yuan)特(te)性

2）1臺電腦可實現(xian)對SIR13主(zhu)機(ji)和溫(wen)濕度(du)箱(xiang)的(de)控(kong)制(zhi)及(ji)管理

3）擁(yong)有10個控(kong)制(zhi)板，根據所選擇測(ce)試(shi)基板的(de)不(bu)同(tong)，zui多擁(yong)有160 測(ce)試(shi)通道(dao)。

4）能夠實現(xian)不(bu)同(tong)測(ce)試(shi)基板（DC120V·DC250V·DC500V·DC1000V）下的(de)同(tong)時測(ce)試(shi)

5）可選用(yong)電(dian)壓(ya)能夠任意(yi)設(she)定（範(fan)圍(wei)：DC -100V～+100V）的(de)脈(mai)沖(chong)基板（時間(jian)為20μs）進行測(ce)試(shi)。

6）電阻值測(ce)試(shi)範(fan)圍(wei)：10³Ω～10¹³Ω

7）電(dian)阻值測(ce)試(shi)精(jing)度(du)：0.3%FS

【何謂離子(zi)遷移現(xian)象】

在(zai)導(dao)體間加電壓(ya)條件下，導(dao)體(ti)金(jin)屬絕(jue)緣(yuan)

絕(jue)緣(yuan)特(te)性與(yu)產品的(de)安全(quan)及部(bu)件壽(shou)命(ming)直(zhi)接相(xiang)關(guan)，是可靠性(xing)評價(jia)的(de)

重要指(zhi)標(biao)。

日(ri)本(ben)愛泰克ETAC絕(jue)緣(yuan)劣化(hua)特(te)性評(ping)價(jia)系統(tong)​ 

1   系統(tong)功能(neng)

在(zai)設定的(de)溫(wen)濕度(du)環(huan)境中(zhong)，在通電的(de)狀態下，對(dui)材(cai)料或部(bu)件的(de)

絕(jue)緣(yuan)電阻值進(jin)行連(lian)續(xu)測(ce)試(shi)的(de)系統(tong)。

即(ji)，樣品邊做溫(wen)濕度(du)試(shi)驗，邊測(ce)試(shi)其絕(jue)緣(yuan)電阻值。

2   系統(tong)構(gou)成

1）構(gou)成部(bu)分

控(kong)制(zhi)顯示單(dan)元（主(zhu)機(ji)、不(bu)停(ting)電(dian)電(dian)源(yuan)）、測(ce)試(shi)連接線、系統(tong)軟件、操作說(shuo)明書(shu)。如圖1。

2）構(gou)成示意（如圖2）

3   系統(tong)技(ji)術(shu)參(can)數(shu)

請見附(fu)件。

4   系統(tong)使用(yong)

與(yu)恒溫(wen)恒濕試驗箱(xiang)壹(yi)起構(gou)成測(ce)試(shi)系統(tong)。如下圖3，圖4

 日(ri)本(ben)愛泰克ETAC絕(jue)緣(yuan)劣化(hua)特(te)性評(ping)價(jia)系統(tong)                                 

5   測(ce)試(shi)實例

1) 印(yin)制(zhi)線路(lu)板的(de)離子(zi)遷移測(ce)試(shi)

2) 二次封(feng)止材(cai)的(de)填充不(bu)良造成的(de)離子(zi)遷移測(ce)試(shi)

3）來(lai)自表面(mian)塗層劑被(bei)膜(mo)的(de)針孔(kong)的(de)離子(zi)遷移測(ce)試(shi)

6   與(yu)傳統方(fang)法(fa)比(bi)較

1）兆歐(ou)表(biao)或高電阻測(ce)試(shi)方(fang)法(fa)：離(li)線（常溫(wen)）測(ce)試(shi)結果的(de)不(bu)可信性(xing)；不(bu)連續(xu)性；不(bu)準確性。

2）絕(jue)緣(yuan)劣化(hua)評價(jia)系統(tong)測(ce)試(shi)方(fang)法(fa)：在(zai)線（設(she)定(ding)環境）測(ce)試(shi)結果的(de)可信性(xing)；連續(xu)性；準確性。

7   系統(tong)的(de)特(te)點(dian)

1）具有三種(zhong)用(yong)途：離子(zi)遷移、絕(jue)緣(yuan)電阻、絕(jue)緣(yuan)特(te)性

2）1臺電腦可實現(xian)對SIR13主(zhu)機(ji)和溫(wen)濕度(du)箱(xiang)的(de)控(kong)制(zhi)及(ji)管理

3）擁(yong)有10個控(kong)制(zhi)板，根據所選擇測(ce)試(shi)基板的(de)不(bu)同(tong)，zui多擁(yong)有160 測(ce)試(shi)通道(dao)。

4）能夠實現(xian)不(bu)同(tong)測(ce)試(shi)基板（DC120V·DC250V·DC500V·DC1000V）下的(de)同(tong)時測(ce)試(shi)

5）可選用(yong)電(dian)壓(ya)能夠任意(yi)設(she)定（範(fan)圍(wei)：DC -100V～+100V）的(de)脈(mai)沖(chong)基板（時間(jian)為20μs）進行測(ce)試(shi)。

6）電阻值測(ce)試(shi)範(fan)圍(wei)：10³Ω～10¹³Ω

7）電阻值測(ce)試(shi)精(jing)度(du)：0.3%FS

【何謂離子(zi)遷移現(xian)象】

在(zai)導(dao)體間加電壓(ya)條件下，導(dao)體(ti)金(jin)屬絕(jue)緣(yuan)